陷尺度也步入极微小范畴。半导体缺陷检测面临更大的挑战，特别是晶圆级缺陷检测，尺寸跨度已达 10 7~10 8，漏检、错检、检测效率等问题愈加突出，市场亟需超高灵敏度跨尺度缺陷检测新技术。除芯片制 造领域外，大口径超精密光学元件、大型超精密机械结构件等的缺陷检测同样对超高灵敏度跨尺度检测技 术有着迫切需求。 超高灵敏度跨尺度缺陷检测技术的主要研究方向包括：① 高灵敏度缺陷检测原理创新与设备开发。通 过创新测量原理与改 前沿技术的出现，有望进一步提升缺陷检测灵敏度、分 辨力与效率，为超高灵敏度跨尺度缺陷检测提供新的发展契机。随着全球高端制造业的不断深入发展， 超高灵敏度跨尺度缺陷检测技术将在下一代芯片制造、精密元件加工等高端制造领域中扮演更加关键 的角色。 （6）数据和物理规律驱动的智能科学计算 数据和物理规律驱动的智能科学计算是一种将人工智能技术、科学计算方法与物理规律深度融合， 以此推动科学研究和 定性等优点，适合处理人工智能、组合优化等复杂特定任务， 是新型计算架构的重要发展方向。 主要研究方向包括基于片上 M-Z 干涉仪网状结构、片上微环谐振器权重组、片上衍射元表面以及其他 片上光学元件（如多模干涉仪、三维集成波导）等不同架构的光计算芯片，这些光计算芯片各具优缺点。目前， 光计算芯片的应用尚不如电子器件广泛，大多数研究仍集中于处理简单数据集，实际应用场景仍然较少。 目前，光计算

（n>50），通过里德堡阻塞效应实现受控相位门，依赖偶极-偶极相互作用（C₆系数）构建纠缠。中 性原子量子计算需激光冷却（μK级）与光晶格束缚等核心设备。 光量子计算是以光子偏振/路径自由度编码量子比特，通过线性光学元件（分束器、波片）和 Hong-Ou-Mandel干涉实现量子逻辑门，依赖纠缠光子源（SPDC）与单光子探测器完成测量。 半导体量子计算是利用半导体量子点中的电子/空穴自旋态（如Si/SiGe或GaAs异质结）编码量 二维阵列的稳定囚禁冷却以及300离 子量子比特的量子模拟计算。团队选用411nm激光器用来操控镱离子与镱离子的特 定能级跃迁相匹配，从而达到精确控制单个量子态的目的。 感光元件是实现非固态量子比特状态读取的关键元件，包括单光子探测器（多 用于光量子计算）、电荷耦合器件（多用于离子阱量子计算）。全球主要供应商有 瑞士ID Quantique、美国Photon Spot、中国赋同量子等公司。 中国科学院上海微系统所李浩、尤立星团队，利用三明治结构 超导纳米线、多线并行工作的方式实现最大计数率5GHz、光 子数分辨率61的超高速、光子数可分辨光量子探测器。 第二章 上游核心设备与器件 35 感光元件：降低暗计数、提高时间分辨率 芯片： 设计、工艺持续改进 03 在量子芯片架构设计领域，纠错算法正深刻地重构芯片的物理布局逻辑。以表 面码纠错方案为例，其要求量子比特阵列构建菱形拓扑结构；而采用低密度奇偶校

并使等离子体放电，在短时间内瞬间出现淬灭的现象。在等离子体破裂期间，等离子体电 流快速下降引起高的感应环电压，逃逸电子在高环电场的加速下通量和能量急剧增加，形 成逃逸电流，导致放电中断并且面对等离子体的材料元件受到很大的机械应力和电磁负载， 损坏聚变装置。 免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。 41 工业 图表80： 等离子体破裂期间电流快速下降形成逃逸电流

试，储能电芯在实际应用中面临 着更为复杂的应用场景和失效模式。目前储能电芯的失效模式主要分为5类，一是电芯内部激源，包 括金属异物混入、极片制造缺陷和电芯一致性差；二是面临系统电气冲击，包括电气元件、直流侧短 路、冷却液泄露和电连接松动；三是机械冲击，包括运输、安装和维护中电芯跌过和碰撞；四是环境 管理不当，包括高湿、多粉尘、高盐雾和可燃性气体环境；五是管理系统异常，包括监测误差、管控